半導(dǎo)體真空退火爐

產(chǎn)品型號(hào)：Huace-1200G

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

所在地：北京市

更新日期：2026-04-08

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

華測(cè)儀器Huace-1200G半導(dǎo)體真空退火爐

價(jià)格僅供參考，如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書(shū)、定制方案或應(yīng)用案例，歡迎致電我司技術(shù)工程師

Huace-1200G半導(dǎo)體真空退火爐由華測(cè)儀器生產(chǎn)，設(shè)備的反射鏡采用高準(zhǔn)度曲率設(shè)計(jì)，通過(guò)五軸加工系統(tǒng)制造，以維持更高的反射效率，并在升降溫過(guò)程中仍能保持穩(wěn)定均勻的溫度場(chǎng)，可實(shí)現(xiàn)寬范圍均熱區(qū)、高速加熱與高速降溫。樣品由石英管保護(hù)，無(wú)氣氛污染，更適合半導(dǎo)體工藝使用。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

溫度高準(zhǔn)度控制

過(guò)紅外鍍金聚焦?fàn)t和溫度控制器的組合使用，可以準(zhǔn)確控制樣品的溫度(遠(yuǎn)比普通加溫方式)。此外，降溫速度和保持在不同溫度下可提供高準(zhǔn)度

不同環(huán)境下的加熱與降溫

加熱/降溫可用真空、氣氛環(huán)境、低溫(高純度性氣體 靜態(tài)或流動(dòng))操作簡(jiǎn)單，使用石英玻璃制成。紅外線可傳到加熱/ 降溫室

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品尺寸：6寸晶圓或150x150mm產(chǎn)品

溫度范圍：RT ~ 800/1200/1450°C

升溫速度：＜100℃/s可編程（此溫度不含載盤(pán)的升溫速度）

                  ＜25℃/s（SiC載盤(pán)）

溫度均勻度：±5 °C ≤ 500 ℃

±1 % > 500 ℃

溫度控制重復(fù)性：±1 °C

溫控方式：PID 溫控